Новости
Главная / Hardware / Развитию полупроводниковых техпроцессов послужат углеродные нанотрубки

Развитию полупроводниковых техпроцессов послужат углеродные нанотрубки

Дальнейшее снижение масштабов полупроводниковых техпроцессов немыслимо без использования сканеров диапазона EUV. Эти сканеры будут как наращивать мощность для увеличения скорости обработки кремниевых пластин, так и повышать оптическое разрешение. Но с этим связан целый ворох технических проблем, решить которые обещают учёные из исследовательского бельгийского центра Imec.

Плёнка из углеродных нанотрубок для защиты фотошаблонов от загрязнения и выгорания при EUV-проекции (Imec)

Плёнка из углеродных нанотрубок для защиты фотошаблонов от загрязнения и выгорания при EUV-проекции (Imec)

Главная трудность при эксплуатации сканеров EUV с источниками сверхжёсткого ультрафиолетового излучения в том, что это требует физической защиты кремния и фотошаблонов, поскольку излучение сканеров действует на них разрушительно. Это поднимает требование к защитным плёнкам. Мощность излучения сегодняшних сканеров EUV колеблется в районе 250 Вт, а ведь его придётся повышать в два раза и даже сильнее. Что же может защитить кремний и фотошаблон от выгорания, а фотошаблон, дополнительно, от загрязнения?

Для этого исследователи Imec разработали и испытали защитную плёнку из углеродных нанотрубок. Эксперименты на сканере ASML NXE: 3300 EUV показали, что прозрачность составных плёнок из нанотрубок (за один проход сканера) составляла 97 %. Это означает, что в рисунок маски, который представляет собой фотошаблон будущей микросхемы, будет внесено минимум оптических искажений и, к тому же, они могут быть вообще компенсированы с помощью настройки режима экспонирования.

Излучение диапазона EUV легко поглощается материалами, и создать защитную плёнку с высочайшей прозрачностью (для воздействия на фоточувствительный слой) — это очень и очень сложная задача. Использование многослойной плёнки из углеродных нанотрубок, что предложили в Imec, решает эту задачу и способно выдержать излучение сканера с мощностью источника до 600 Вт.

Защитная плёнка в данном случае располагается в нескольких миллиметрах от фотошаблона. Она защищает маску и её рисунок от попадания посторонних частиц. Поскольку защитная плёнка находится вне фокуса источника излучения сканера, весь скопившийся на ней мусор не вносит искажений в рисунок на фотошаблоне. Но на этом исследования не окончены. Дальше учёные сосредоточатся на повышении срока службы защитных плёнок и на разработке техпроцессов для их массового производства. Лет через пять подобные плёнки могут понадобиться полупроводниковой промышленности как воздух. Без них прогресс в EUV-литографии может быть затруднён.

Источник:


Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме