Новости
Главная / Смартфоны / Смартфон Realme GT 5G получит память LPDDR5 и накопитель UFS 3.1

Смартфон Realme GT 5G получит память LPDDR5 и накопитель UFS 3.1

Продолжают поступать подробности о флагманском смартфоне Realme GT 5G: официальное тизер-изображение раскрывает новую информацию об электронных компонентах аппарата.

В очередной раз подтверждено применение процессора Qualcomm Snapdragon 888 с восемью ядрами с частотой до 2,84 ГГц, графическим ускорителем Adreno 660 и модемом Snapdragon X60 5G.

Кроме того, говорится об использовании высокоскоростной оперативной памяти LPDDR5. Её объём, если верить данным теста AnTuTu, составит 12 Гбайт. Возможно, будут выпущены и другие модификации.

Наконец, тизер указывает на наличие быстродействующего флеш-накопителя стандарта UFS 3.1. В уже упомянутом бенчмарке AnTuTu «засветилась» версия аппарата с модулем вместимостью 256 Гбайт.

По слухам, новинка будет оборудована большим 6,8-дюймовым дисплеем с разрешением 3200 × 1440 точек и частотой обновления 120 Гц. Тройная тыльная камера якобы получит 64-Мп основной датчик и два сенсора на 13 млн пикселей.

По новым данным, питание обеспечит аккумуляторная батарея ёмкостью 5000 мА·ч с 65-ваттной быстрой подзарядкой, а не 125-ваттной, как предполагалось ранее. Анонс смартфона состоится 4 марта. 

Источники:


Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме